게이트에 전압을 걸면 소스-드레인 사이가 통하는 스위치다. 기계식 릴레이와 달리 수십 kHz 로 스위칭할 수 있어 PWM 구동에 쓴다.
왜 스위칭이 발열에 유리한가
완전히 켜지면 저항이 아주 낮고(수 mΩ), 완전히 꺼지면 전류가 0 이다. 어느 쪽이든 전력을 거의 안 먹는다.
발열은 켜지고 꺼지는 그 짧은 순간에 생긴다(스위칭 손실). 그래서 게이트를 빠르게 몰아줘야 하고, 전류가 크면 게이트 드라이버 IC 가 필요하다.
로우사이드와 하이사이드
로우사이드 부하 → MOSFET → GND 게이트 구동이 쉽다
하이사이드 +V → MOSFET → 부하 게이트를 전원보다 높게 올려야 한다 (부트스트랩)
H-브리지는 위 둘을 다 쓴다. 하이사이드 구동이 까다로운 게 H-브리지가 단순 스위치보다 어려운 이유다.
전류 측정 위치
로우사이드 션트로 재면 회로가 간단하지만 PWM ON 구간에만 전류가 흐른다. 그래서 PWM 동기 ADC 가 필요해진다.